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聯系我們142IH型可與半導體輻射探測器、正比計數器、電離室和低增益光電倍增管搭配使用。
它可容納高達2000 pF的探測器電容。因此該裝置非常適合高分辨率譜應用。
前置放大器包含一個內置保護，以防止由于意外施加的過高電壓而損壞輸入FET。其小尺寸還允許它在實驗真空中運行。
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詳細介紹
142IH宣傳冊 142IH宣傳冊（A4） 142IH手冊 142IH型可與半導體輻射探測器、正比計數器、電離室和低增益光電倍增管搭配使用。
它可容納高達2000 pF的探測器電容。因此該裝置非常適合高分辨率譜應用。
前置放大器包含一個內置保護，以防止由于意外施加的過高電壓而損壞輸入FET。其小尺寸還允許它在實驗真空中運行。
性能
| 噪聲 | 隨著輸入電容的增加而增加。典型斜率，0至100 pF = 27 eV/pF；100pF到1000pF = 34eV/pF。典型性能值（基于在τ=2μs時的ε= 3.6ev硅當量）在0pF下為1.9keV；它們在100pF和在1000pF分別為4.6keV和35keV。 |
| 上升時間 | 基于+0.5 V信號，通過任一輸出端到93-Ω電路，并從峰值幅度的10％到90％進行測量；在0pF時<20ns，在100pF時<50ns。 |
| 靈敏度 | 通過任一輸出測量的標稱值，15 mV/MeV Si。 |
| 能量范圍 | 0至100 MeV Si。 |
| E2CRP | 能量平方計數率產品：8 X 107MeV2/s。 |
| 動態輸入電容 | 10,000 pF。 |
| 積分非線性 | 對于0至±7 V開路或±3.5 V端接93Ω，≤±0.05％。 |
| 溫度不穩定性 | ≤±100 ppm/°C，0至50°C。 |
| 探測器偏置隔離 | ±3000 V。 |
| 開環增益 | ≥40,000。 |
輸入端
| 輸入端 | 接受來自探測器的輸入信號并將操作偏壓擴展至探測器。 |
| 偏壓 | 接受來自偏壓電源的探測器偏置電壓。 |
| 測試 | 接受來自脈沖發生器的輸入電壓脈沖，可用于檢查和校準儀器和系統；Rin =93 Ω。 |
輸出端
| E和T | 2個連接器通過2個輸出路徑提供相同的信號；任何一個或兩個輸出端都可以根據需要進行使用，并且它們可以互換。通過每個連接器Ro = 93 Ω，輸出極性與輸入脈沖極性相反（輸出脈沖極性與偏壓極性相同）。 |
連接器
| 輸入和偏壓 | SHV。 |
| 測試、E和T | BNC。 |
| 電源線 | 3米（10英尺）自帶電源線，ORTEC 121-C1；可為特殊訂單提供更長的長度。 |
電氣和機械
| 所需電源 | +24 V, 30 mA; –24 V, 10 mA; +12 V, 15 mA; –12 V, 15 mA。由NIM機箱和ORTEC主放大器或ORTEC 4002P型便攜式電源供電；內置的自帶電纜與所有電源兼容。 |
| 重量 | 凈重 0.45千克（1磅）。裝運重量 1.3千克（3磅）。 |
| 尺寸 | 3.8 X 6.1 X 13.3 cm (1.5 X 2.4 X 5.25 英寸) 加上3米（10英尺）電纜。 |
| 型號 | 描述 |
| 142IH | 前置放大器 |
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